4.4　共晶焊工艺设备

4.4.1　共晶焊工艺可选用共晶机、共晶炉，并宜符合下列规定：

1　被贴装芯片的面积不大于2mm×2mm时，应选用手动或自动共晶机进行逐一共晶焊，同一基板上同一温度下使用同种焊料共晶焊的芯片不应超过3个；

2　多芯片贴装或被贴装芯片的面积大于6mm×6mm时，应选用真空共晶炉进行共晶焊，并应设计焊接工装；

3　被贴装芯片的面积在2mm×2mm到6mm×6mm之间时，应根据具体情况选择工艺设备；

4　不使用焊料，直接将两种金属的界面加热到不小于它们的共熔温度进行共晶焊时，应选用具有摩擦功能的共晶机。

4.4.2　共晶焊工艺设备配置应符合下列规定：

1　真空共晶炉宜配置有工艺参数与焊接曲线、气氛曲线实时监控与报警系统、焊接工装夹具，利用热能与真空（气氛）相结合使焊料片共晶熔化实现产品的焊接，可通过设置加热功率、加热时间、加热温度、真空度与抽真空时间、气体类别、充气压力与时间等参数来获得适宜的共晶焊接“温度-时间”曲线及“真空（气氛）”曲线；

2　共晶机应配置承片台、操作随动系统、显微镜、照明装置和吸嘴（夹具），应能设置和调节承片台温度、摩擦频率等关键工艺参数，可通过改变真空度（夹持力）、更换吸嘴（夹具）规格等方法，适应不同规格元件的共晶贴片。