化合物半导体器件

思考题

8.4.4 氮化物光催化剂

8.4.3 基于GaN的子带间跃迁光开关

8.4.2 宽禁带半导体纳米结构器件

8.4.1 单光子器件

8.4 其他宽禁带半导体器件

8.3.3 其他GaN基电子器件

8.3.2 GaN基光电器件

8.3.1 GaN微波功率器件

8.3 GaN器件及其应用[7][8][9]

8.2.3 碳化硅探测器件

8.2.2 碳化硅功率器件

8.2.1 碳化硅微波功率器件

8.2 碳化硅器件及其应用

8.1 宽带隙半导体材料基本特性

第8章 宽带隙化合物半导体器件

参考文献

思考题

7.4.3 半导体激光器

7.4.2 红外发光二极管

7.4.1 可见光发光二极管

7.4 发光二极管和半导体激光器

7.3.2 光电二极管

7.3.1 光敏电阻

7.3 光电探测器件

7.2.6 铜铟硒太阳能电池

7.2.5 Ⅱ-Ⅵ族化合物太阳能电池

7.2.4 砷化镓太阳能电池

7.2.3 转换效率

7.2.2 pn结光电池的等效电路

7.2.1 pn结光电池的电流-电压特性

7.2 太阳能电池

7.1.4 光伏效应

7.1.3 光的吸收

7.1.2 辐射跃迁

7.1.1 光的本质

7.1 半导体的光学性质

第7章 半导体光电子器件

参考文献

思考题

6.3.3 隧穿热电子晶体管

6.3.2 实空间转移晶体管（real space transfer transistor）

6.3.1 热电子异质结双极晶体管

6.3 热电子器件

6.2.2 谐振隧道二极管电流-电压特性

6.2.1 谐振隧穿结构

6.2 共振隧道二极管（Resonant Tunneling Diode，RTD）

6.1.2 电流-电压特性

6.1.1 穿透系数

6.1 隧道二极管

第6章 量子器件与热电子器件

参考文献

思考题

5.3.3 电流-电压特性

5.3.2 基本原理

5.3.1 调制掺杂结构

5.3 调制掺杂场效应晶体管

5.2.7 功率特性

5.2.6 噪声理论

5.2.5 高频特性

5.2.4 负阻效应与高场畴

5.2.3 电流 — 电压特性

5.2.2 工作原理

5.2.1 MES FET器件结构

5.2 金属半导体场效应晶体管（MESFET）

5.1.2 基本模型

5.1.1 能带结构

5.1 金属半导体肖特基接触

第5章 化合物半导体场效应晶体管

参考文献

思考题

4.4.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物基HBT

4.4.1 Si-SiGe HBT

4.4 先进的HBT[7]

4.3.3 宽带隙集电区

4.3.2 开关时间

4.3.1 最大振荡频率

4.3 HBT的频率特性

4.2.3 HBT增益与温度的关系

4.2.2 考虑界面复合后HBT的增益

4.2.1 理想HBT的增益

4.2 HBT的增益

4.1.2 突变结和组分渐变异质结

4.1.1 基本的HBT结构

4.1 HBT的基本结构

第4章 异质结双极晶体管

参考文献

思考题

3.4 多量子阱与超晶格

3.3.2 二维电子气的态密度

3.3.1 二维电子气的形成及能态

3.3 量子阱与二维电子气

3.2.3 异质结的超注入现象

3.2.2 界面态的影响

3.2.1 突变异质结的伏安特性和注入特性

3.2 异型异质结的电学特性

3.1.2 异质结的能带图

3.1.1 异质结的形成

3.1 异质结及其能带图

第3章 半导体异质结

参考文献

思考题

2.3 化合物半导体器件的发展方向

2.2.5 迁移率

2.2.4 施主和受主能级

2.2.3 能带结构

2.2.2 晶体的化学键和极化

2.2.1 晶格结构

2.2 化合物半导体材料特性

2.1.3 半导体固溶体

2.1.2 化合物半导体

2.1.1 元素半导体

2.1 半导体材料的分类

第2章 化合物半导体材料与器件基础

参考文献

1.2 内容安排和说明

1.1 历史和动态

第1章 绪论

主要参数符号表

前言

版权信息

封面

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前言

主要参数符号表

第1章 绪论

1.1 历史和动态

1.2 内容安排和说明

参考文献

第2章 化合物半导体材料与器件基础

2.1 半导体材料的分类

2.1.1 元素半导体

2.1.2 化合物半导体

2.1.3 半导体固溶体

2.2 化合物半导体材料特性

2.2.1 晶格结构

2.2.2 晶体的化学键和极化

2.2.3 能带结构

2.2.4 施主和受主能级

2.2.5 迁移率

2.3 化合物半导体器件的发展方向

思考题

参考文献

第3章 半导体异质结

3.1 异质结及其能带图

3.1.1 异质结的形成

3.1.2 异质结的能带图

3.2 异型异质结的电学特性

3.2.1 突变异质结的伏安特性和注入特性

3.2.2 界面态的影响

3.2.3 异质结的超注入现象

3.3 量子阱与二维电子气

3.3.1 二维电子气的形成及能态

3.3.2 二维电子气的态密度

3.4 多量子阱与超晶格

思考题

参考文献

第4章 异质结双极晶体管

4.1 HBT的基本结构

4.1.1 基本的HBT结构

4.1.2 突变结和组分渐变异质结

4.2 HBT的增益

4.2.1 理想HBT的增益

4.2.2 考虑界面复合后HBT的增益

4.2.3 HBT增益与温度的关系

4.3 HBT的频率特性

4.3.1 最大振荡频率

4.3.2 开关时间

4.3.3 宽带隙集电区

4.4 先进的HBT[7]

4.4.1 Si-SiGe HBT

4.4.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物基HBT

思考题

参考文献

第5章 化合物半导体场效应晶体管

5.1 金属半导体肖特基接触

5.1.1 能带结构

5.1.2 基本模型

5.2 金属半导体场效应晶体管（MESFET）

5.2.1 MES FET器件结构

5.2.2 工作原理

5.2.3 电流 — 电压特性

5.2.4 负阻效应与高场畴

5.2.5 高频特性

5.2.6 噪声理论

5.2.7 功率特性

5.3 调制掺杂场效应晶体管

5.3.1 调制掺杂结构

5.3.2 基本原理

5.3.3 电流-电压特性

思考题

参考文献

第6章 量子器件与热电子器件

6.1 隧道二极管

6.1.1 穿透系数

6.1.2 电流-电压特性

6.2 共振隧道二极管（Resonant Tunneling Diode，RTD）

6.2.1 谐振隧穿结构

6.2.2 谐振隧道二极管电流-电压特性

6.3 热电子器件

6.3.1 热电子异质结双极晶体管

6.3.2 实空间转移晶体管（real space transfer transistor）

6.3.3 隧穿热电子晶体管

思考题

参考文献

第7章 半导体光电子器件

7.1 半导体的光学性质

7.1.1 光的本质

7.1.2 辐射跃迁

7.1.3 光的吸收

7.1.4 光伏效应

7.2 太阳能电池

7.2.1 pn结光电池的电流-电压特性

7.2.2 pn结光电池的等效电路

7.2.3 转换效率

7.2.4 砷化镓太阳能电池

7.2.5 Ⅱ-Ⅵ族化合物太阳能电池

7.2.6 铜铟硒太阳能电池

7.3 光电探测器件

7.3.1 光敏电阻

7.3.2 光电二极管

7.4 发光二极管和半导体激光器

7.4.1 可见光发光二极管

7.4.2 红外发光二极管

7.4.3 半导体激光器

思考题

参考文献

第8章 宽带隙化合物半导体器件

8.1 宽带隙半导体材料基本特性

8.2 碳化硅器件及其应用

8.2.1 碳化硅微波功率器件

8.2.2 碳化硅功率器件

8.2.3 碳化硅探测器件

8.3 GaN器件及其应用[7][8][9]

8.3.1 GaN微波功率器件

8.3.2 GaN基光电器件

8.3.3 其他GaN基电子器件

8.4 其他宽禁带半导体器件

8.4.1 单光子器件

8.4.2 宽禁带半导体纳米结构器件

8.4.3 基于GaN的子带间跃迁光开关

8.4.4 氮化物光催化剂

思考题