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本书主要介绍广泛存在的各种辐射对纳米CMOS器件及其电路的影响，涵盖了各种辐射环境分析、电离损伤机理研究、纳米器件的总剂量效应和单粒子效应的建模仿真、辐射效应对纳米电路的影响及辐照实验设计等，综合考虑器件特征尺寸缩减对辐射效应的影响，从器件、电路角度建模分析，给出了纳电子器件及其电路的辐射效应的分析方法和思路。本书对高“k”栅介质对纳米CMOS器件的辐射效应的影响、新兴的纳米FinFET及纳米线的
物理学10.4万字
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