2.2 真空间隙击穿的基本理论

当真空中触头间隙的范围不同时，其绝缘特性也有所不同。在可拆真空灭弧室中采用平板电极并施加直流电压的实验结果表明，当触头间隙距离d≤0.5mm时，其击穿主要与电场强度有关，击穿电压UB和触头间隙距离d的关系可以简单表示为线性关系，即

UB=kd （2-1）

式中 UB——击穿电压（V）；

k——常数，其范围为6×107～8×107V/m；

d——触头间隙距离（m）。

当触头间隙距离增加到d≥2mm后，真空间隙的绝缘特性开始出现饱和现象，击穿电压UB和触头间隙距离d的关系可以表示为

UB=kdα （2-2）

式中 UB——击穿电压（V）；

d——触头间隙距离（m）；

k——常数，其范围在（4.0～4.5）×107V/m；

α——常数，通常小于1；

k、α——确定值视具体灭弧室情况而定。

式（2-1）、式（2-2）说明，当触头间隙距离增大到某一范围后，真空间隙的击穿电压与间隙距离不再满足线性关系。

关于真空间隙的击穿过程主要有场致发射击穿和微粒击穿两种，下面分别进行简要介绍。